R6030ENZ1C9

Número de peza do fabricante:	R6030ENZ1C9
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Parte da Descrición:	MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Fichas técnicas:	R6030ENZ1C9 Fichas técnicas
Estado sen chumbo / estado RoHS:	Sen chumbo / Conforme RoHS
Condición de stock:	En stock
Enviar desde:	Hong Kong
Modo de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

COMENTARIO: ROHM Semiconductor R6030ENZ1C9 está dispoñible en chipnets.com. Só vendemos pezas novas e orixinais e ofrecemos 1 ano de garantía. Se queres saber máis sobre os produtos ou aplicar un prezo mellor, póñase en contacto connosco fai clic no chat en liña ou envíanos unha cotización.

Todos os compoñentes electrónicos embalaranse de forma moi segura grazas á protección antiestática ESD.

package

Especificación

Tipo	Descrición
Serie	-
Paquete	Tube
Estado da peza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnoloxía	MOSFET (Metal Oxide)
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C	30A (Tc)
Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada)	10V
RDS activado (máximo) @ Id, Vgs	130mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs	85 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds	2100 pF @ 25 V
Función FET	-
Disipación de potencia (máx.)	120W (Tc)
Temperatura de operación	150°C (TJ)
Tipo de montaxe	Through Hole
Paquete de dispositivos do provedor	TO-247
Paquete / Estuche	TO-247-3

OPCIÓNS DE COMPRA

Estado do stock: 93

Mínimo: 1

Cantidade	Prezo por unidade	Ext. Prezo
O prezo non está dispoñible, por favor RFQ

Cálculo de carga

US $ 40 por FedEx.

Chega en 3-5 días

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuíto nos primeiros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, o exceso de peso cobrarase por separado

Modelos populares

Este artigo foi engadido á túa cesta.