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Conectores, interconexións
Nexperia / BSH111BKR
A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real
BSH111BKR
| Número de peza do fabricante: | BSH111BKR |
| Fabricante: | Nexperia |
| Parte da Descrición: | MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB |
| Fichas técnicas: | BSH111BKR Fichas técnicas |
| Estado sen chumbo / estado RoHS: | Sen chumbo / Conforme RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Enviar desde: | Hong Kong |
| Modo de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- COMENTARIO
- Nexperia BSH111BKR está dispoñible en chipnets.com. Só vendemos pezas novas e orixinais e ofrecemos 1 ano de garantía. Se queres saber máis sobre os produtos ou aplicar un prezo mellor, póñase en contacto connosco fai clic no chat en liña ou envíanos unha cotización.
Todos os compoñentes electrónicos embalaranse de forma moi segura grazas á protección antiestática ESD.
Especificación
| Tipo | Descrición |
|---|---|
| Serie | - |
| Paquete | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Estado da peza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 55 V |
| Corrente - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 210mA (Ta) |
| Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada) | 4.5V |
| RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
| Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs (máx.) | ±10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 30 pF @ 30 V |
| Función FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 302mW (Ta) |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Paquete de dispositivos do provedor | TO-236AB |
| Paquete / Estuche | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
OPCIÓNS DE COMPRA
Estado do stock: 1599
Mínimo: 1
| Cantidade | Prezo por unidade | Ext. Prezo |
|---|---|---|
O prezo non está dispoñible, por favor RFQ |
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Cálculo de carga
US $ 40 por FedEx.
Chega en 3-5 días
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