GA20JT12-247

Número de peza do fabricante:	GA20JT12-247
Fabricante:	GeneSiC Semiconductor
Parte da Descrición:	TRANS SJT 1200V 20A TO247AB
Fichas técnicas:	GA20JT12-247 Fichas técnicas
Estado sen chumbo / estado RoHS:	Sen chumbo / Conforme RoHS
Condición de stock:	En stock
Enviar desde:	Hong Kong
Modo de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

COMENTARIO: GeneSiC Semiconductor GA20JT12-247 está dispoñible en chipnets.com. Só vendemos pezas novas e orixinais e ofrecemos 1 ano de garantía. Se queres saber máis sobre os produtos ou aplicar un prezo mellor, póñase en contacto connosco fai clic no chat en liña ou envíanos unha cotización.

Todos os compoñentes electrónicos embalaranse de forma moi segura grazas á protección antiestática ESD.

package

Especificación

Tipo	Descrición
Serie	-
Paquete	Tube
Estado da peza	Obsolete
Tipo FET	-
Tecnoloxía	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C	20A (Tc)
Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada)	-
RDS activado (máximo) @ Id, Vgs	70mOhm @ 20A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds	-
Función FET	-
Disipación de potencia (máx.)	282W (Tc)
Temperatura de operación	175°C (TJ)
Tipo de montaxe	Through Hole
Paquete de dispositivos do provedor	TO-247AB
Paquete / Estuche	TO-247-3

OPCIÓNS DE COMPRA

Estado do stock: Envío o mesmo día

Mínimo: 1

Cantidade	Prezo por unidade	Ext. Prezo
O prezo non está dispoñible, por favor RFQ

Cálculo de carga

US $ 40 por FedEx.

Chega en 3-5 días

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuíto nos primeiros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, o exceso de peso cobrarase por separado

Modelos populares

	GA20JT12-247 GeneSiC Semiconductor
	GA20SICP12-247 GeneSiC Semiconductor
	GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor

Este artigo foi engadido á túa cesta.