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Conectores, interconexións
Rochester Electronics / FQB3N30TM
A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real
FQB3N30TM
| Número de peza do fabricante: | FQB3N30TM |
| Fabricante: | Rochester Electronics |
| Parte da Descrición: | MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAK |
| Fichas técnicas: | FQB3N30TM Fichas técnicas |
| Estado sen chumbo / estado RoHS: | Sen chumbo / Conforme RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Enviar desde: | Hong Kong |
| Modo de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- COMENTARIO
- Rochester Electronics FQB3N30TM está dispoñible en chipnets.com. Só vendemos pezas novas e orixinais e ofrecemos 1 ano de garantía. Se queres saber máis sobre os produtos ou aplicar un prezo mellor, póñase en contacto connosco fai clic no chat en liña ou envíanos unha cotización.
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Especificación
| Tipo | Descrición |
|---|---|
| Serie | QFET® |
| Paquete | Bulk |
| Estado da peza | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 300 V |
| Corrente - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 3.2A (Tc) |
| Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada) | 10V |
| RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 1.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 230 pF @ 25 V |
| Función FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 3.13W (Ta), 55W (Tc) |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Paquete de dispositivos do provedor | D²PAK (TO-263AB) |
| Paquete / Estuche | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
OPCIÓNS DE COMPRA
Estado do stock: 2934
Mínimo: 1
| Cantidade | Prezo por unidade | Ext. Prezo |
|---|---|---|
O prezo non está dispoñible, por favor RFQ |
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Cálculo de carga
US $ 40 por FedEx.
Chega en 3-5 días
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuíto nos primeiros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, o exceso de peso cobrarase por separado
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