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Rochester Electronics / BSZ105N04NSGATMA1
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BSZ105N04NSGATMA1
| Número de peza do fabricante: | BSZ105N04NSGATMA1 |
| Fabricante: | Rochester Electronics |
| Parte da Descrición: | OPTLMOS POWER-MOSFET |
| Estado sen chumbo / estado RoHS: | Sen chumbo / Conforme RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Enviar desde: | Hong Kong |
| Modo de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- COMENTARIO
- Rochester Electronics BSZ105N04NSGATMA1 está dispoñible en chipnets.com. Só vendemos pezas novas e orixinais e ofrecemos 1 ano de garantía. Se queres saber máis sobre os produtos ou aplicar un prezo mellor, póñase en contacto connosco fai clic no chat en liña ou envíanos unha cotización.
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Especificación
| Tipo | Descrición |
|---|---|
| Serie | OptiMOS™ |
| Paquete | Bulk |
| Estado da peza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 40 V |
| Corrente - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 11A (Ta), 40A (Tc) |
| Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada) | 10V |
| RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 14µA |
| Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 1.3 pF @ 20 V |
| Función FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 2.1W (Ta), 35W (Tc) |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Paquete de dispositivos do provedor | PG-TSDSON-8 |
| Paquete / Estuche | 8-PowerTDFN |
OPCIÓNS DE COMPRA
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Mínimo: 1
| Cantidade | Prezo por unidade | Ext. Prezo |
|---|---|---|
O prezo non está dispoñible, por favor RFQ |
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