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Conectores, interconexións
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / FQT1N60CTF-WS
A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real
FQT1N60CTF-WS
| Número de peza do fabricante: | FQT1N60CTF-WS |
| Fabricante: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Parte da Descrición: | MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4 |
| Fichas técnicas: | FQT1N60CTF-WS Fichas técnicas |
| Estado sen chumbo / estado RoHS: | Sen chumbo / Conforme RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Enviar desde: | Hong Kong |
| Modo de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- COMENTARIO
- Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQT1N60CTF-WS está dispoñible en chipnets.com. Só vendemos pezas novas e orixinais e ofrecemos 1 ano de garantía. Se queres saber máis sobre os produtos ou aplicar un prezo mellor, póñase en contacto connosco fai clic no chat en liña ou envíanos unha cotización.
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Especificación
| Tipo | Descrición |
|---|---|
| Serie | QFET® |
| Paquete | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Estado da peza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 600 V |
| Corrente - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 200mA (Tc) |
| Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada) | 10V |
| RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 11.5Ohm @ 100mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 6.2 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 170 pF @ 25 V |
| Función FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 2.1W (Tc) |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Paquete de dispositivos do provedor | SOT-223-4 |
| Paquete / Estuche | TO-261-4, TO-261AA |
OPCIÓNS DE COMPRA
Estado do stock: 20470
Mínimo: 1
| Cantidade | Prezo por unidade | Ext. Prezo |
|---|---|---|
O prezo non está dispoñible, por favor RFQ |
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Cálculo de carga
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Chega en 3-5 días
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