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Conectores, interconexións
Rochester Electronics / FDV302P
A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real
FDV302P
| Número de peza do fabricante: | FDV302P |
| Fabricante: | Rochester Electronics |
| Parte da Descrición: | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI |
| Fichas técnicas: | FDV302P Fichas técnicas |
| Estado sen chumbo / estado RoHS: | Sen chumbo / Conforme RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Enviar desde: | Hong Kong |
| Modo de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- COMENTARIO
- Rochester Electronics FDV302P está dispoñible en chipnets.com. Só vendemos pezas novas e orixinais e ofrecemos 1 ano de garantía. Se queres saber máis sobre os produtos ou aplicar un prezo mellor, póñase en contacto connosco fai clic no chat en liña ou envíanos unha cotización.
Todos os compoñentes electrónicos embalaranse de forma moi segura grazas á protección antiestática ESD.
Especificación
| Tipo | Descrición |
|---|---|
| Serie | - |
| Paquete | Bulk |
| Estado da peza | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 25 V |
| Corrente - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 120mA (Ta) |
| Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada) | 2.7V, 4.5V |
| RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 0.31 nC @ 4.5 V |
| Vgs (máx.) | -8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 11 pF @ 10 V |
| Función FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 350mW (Ta) |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Paquete de dispositivos do provedor | SOT-23 |
| Paquete / Estuche | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
OPCIÓNS DE COMPRA
Estado do stock: Envío o mesmo día
Mínimo: 1
| Cantidade | Prezo por unidade | Ext. Prezo |
|---|---|---|
O prezo non está dispoñible, por favor RFQ |
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