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Conectores, interconexións
Rochester Electronics / FDB6670AS
A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real
FDB6670AS
| Número de peza do fabricante: | FDB6670AS |
| Fabricante: | Rochester Electronics |
| Parte da Descrición: | MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB |
| Fichas técnicas: | FDB6670AS Fichas técnicas |
| Estado sen chumbo / estado RoHS: | Sen chumbo / Conforme RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Enviar desde: | Hong Kong |
| Modo de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- COMENTARIO
- Rochester Electronics FDB6670AS está dispoñible en chipnets.com. Só vendemos pezas novas e orixinais e ofrecemos 1 ano de garantía. Se queres saber máis sobre os produtos ou aplicar un prezo mellor, póñase en contacto connosco fai clic no chat en liña ou envíanos unha cotización.
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Especificación
| Tipo | Descrición |
|---|---|
| Serie | PowerTrench® |
| Paquete | Bulk |
| Estado da peza | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 30 V |
| Corrente - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 62A (Ta) |
| Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada) | 4.5V, 10V |
| RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 31A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 39 nC @ 15 V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 1.57 pF @ 15 V |
| Función FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 62.5W (Tc) |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Paquete de dispositivos do provedor | TO-263AB |
| Paquete / Estuche | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
OPCIÓNS DE COMPRA
Estado do stock: 5998
Mínimo: 1
| Cantidade | Prezo por unidade | Ext. Prezo |
|---|---|---|
O prezo non está dispoñible, por favor RFQ |
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Cálculo de carga
US $ 40 por FedEx.
Chega en 3-5 días
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuíto nos primeiros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, o exceso de peso cobrarase por separado
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