Microsemi / 2N6796
A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real
2N6796
| Número de peza do fabricante: | 2N6796 |
| Fabricante: | Microsemi |
| Parte da Descrición: | MOSFET N-CH 100V 8A TO39 |
| Estado sen chumbo / estado RoHS: | Sen chumbo / Conforme RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Enviar desde: | Hong Kong |
| Modo de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- COMENTARIO
- Microsemi 2N6796 está dispoñible en chipnets.com. Só vendemos pezas novas e orixinais e ofrecemos 1 ano de garantía. Se queres saber máis sobre os produtos ou aplicar un prezo mellor, póñase en contacto connosco fai clic no chat en liña ou envíanos unha cotización.
Todos os compoñentes electrónicos embalaranse de forma moi segura grazas á protección antiestática ESD.
Especificación
| Tipo | Descrición |
|---|---|
| Serie | - |
| Paquete | Bulk |
| Estado da peza | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 100 V |
| Corrente - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 8A (Tc) |
| Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada) | 10V |
| RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250mA |
| Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 6.34 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | - |
| Función FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Through Hole |
| Paquete de dispositivos do provedor | TO-39 |
| Paquete / Estuche | TO-205AF Metal Can |
Estado do stock: Envío o mesmo día
Mínimo: 1
| Cantidade | Prezo por unidade | Ext. Prezo |
|---|---|---|
O prezo non está dispoñible, por favor RFQ |
||
Cálculo de carga
US $ 40 por FedEx.
Chega en 3-5 días
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuíto nos primeiros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, o exceso de peso cobrarase por separado
Engadido ao carro!
Este artigo foi engadido á túa cesta.