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Conectores, interconexións
IR (Infineon Technologies) / IMBG120R030M1HXTMA1
A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real
IMBG120R030M1HXTMA1
| Número de peza do fabricante: | IMBG120R030M1HXTMA1 |
| Fabricante: | IR (Infineon Technologies) |
| Parte da Descrición: | TRANS SJT N-CH 1.2KV 56A TO263 |
| Fichas técnicas: | IMBG120R030M1HXTMA1 Fichas técnicas |
| Estado sen chumbo / estado RoHS: | Sen chumbo / Conforme RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Enviar desde: | Hong Kong |
| Modo de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- COMENTARIO
- IR (Infineon Technologies) IMBG120R030M1HXTMA1 está dispoñible en chipnets.com. Só vendemos pezas novas e orixinais e ofrecemos 1 ano de garantía. Se queres saber máis sobre os produtos ou aplicar un prezo mellor, póñase en contacto connosco fai clic no chat en liña ou envíanos unha cotización.
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Especificación
| Tipo | Descrición |
|---|---|
| Serie | CoolSiC™ |
| Paquete | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Estado da peza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnoloxía | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 1.2 kV |
| Corrente - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 56A (Tc) |
| Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada) | - |
| RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 25A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.7V @ 11.5mA |
| Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 63 nC @ 18 V |
| Vgs (máx.) | +18V, -15V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 2.29 nF @ 800 V |
| Función FET | Standard |
| Disipación de potencia (máx.) | 300W (Tc) |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Paquete de dispositivos do provedor | PG-TO263-7-12 |
| Paquete / Estuche | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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| Cantidade | Prezo por unidade | Ext. Prezo |
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