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Conectores, interconexións
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK1K9A60F,S4X
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TK1K9A60F,S4X
| Número de peza do fabricante: | TK1K9A60F,S4X |
| Fabricante: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Parte da Descrición: | MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS |
| Fichas técnicas: | TK1K9A60F,S4X Fichas técnicas |
| Estado sen chumbo / estado RoHS: | Sen chumbo / Conforme RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Enviar desde: | Hong Kong |
| Modo de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- COMENTARIO
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK1K9A60F,S4X está dispoñible en chipnets.com. Só vendemos pezas novas e orixinais e ofrecemos 1 ano de garantía. Se queres saber máis sobre os produtos ou aplicar un prezo mellor, póñase en contacto connosco fai clic no chat en liña ou envíanos unha cotización.
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Especificación
| Tipo | Descrición |
|---|---|
| Serie | U-MOSIX |
| Paquete | Tube |
| Estado da peza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 600 V |
| Corrente - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 3.7A (Ta) |
| Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada) | 10V |
| RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 1.9Ohm @ 1.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 400µA |
| Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 490 pF @ 300 V |
| Función FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 30W (Tc) |
| Temperatura de operación | 150°C |
| Tipo de montaxe | Through Hole |
| Paquete de dispositivos do provedor | TO-220SIS |
| Paquete / Estuche | TO-220-3 Full Pack |
OPCIÓNS DE COMPRA
Estado do stock: 236
Mínimo: 1
| Cantidade | Prezo por unidade | Ext. Prezo |
|---|---|---|
O prezo non está dispoñible, por favor RFQ |
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Cálculo de carga
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Chega en 3-5 días
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuíto nos primeiros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, o exceso de peso cobrarase por separado
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