GA100JT12-227

Número de peza do fabricante:	GA100JT12-227
Fabricante:	GeneSiC Semiconductor
Parte da Descrición:	TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Fichas técnicas:	GA100JT12-227 Fichas técnicas
Estado sen chumbo / estado RoHS:	Sen chumbo / Conforme RoHS
Condición de stock:	En stock
Enviar desde:	Hong Kong
Modo de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

COMENTARIO: GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227 está dispoñible en chipnets.com. Só vendemos pezas novas e orixinais e ofrecemos 1 ano de garantía. Se queres saber máis sobre os produtos ou aplicar un prezo mellor, póñase en contacto connosco fai clic no chat en liña ou envíanos unha cotización.

Todos os compoñentes electrónicos embalaranse de forma moi segura grazas á protección antiestática ESD.

package

Especificación

Tipo	Descrición
Serie	-
Paquete	Tube
Estado da peza	Obsolete
Tipo FET	-
Tecnoloxía	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C	160A (Tc)
Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada)	-
RDS activado (máximo) @ Id, Vgs	10mOhm @ 100A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds	14400 pF @ 800 V
Función FET	-
Disipación de potencia (máx.)	535W (Tc)
Temperatura de operación	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe	Chassis Mount
Paquete de dispositivos do provedor	SOT-227
Paquete / Estuche	SOT-227-4, miniBLOC

OPCIÓNS DE COMPRA

Estado do stock: Envío o mesmo día

Mínimo: 1

Cantidade	Prezo por unidade	Ext. Prezo
O prezo non está dispoñible, por favor RFQ

Cálculo de carga

US $ 40 por FedEx.

Chega en 3-5 días

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuíto nos primeiros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, o exceso de peso cobrarase por separado

Modelos populares

	GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor
	GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor
	GA10JT12-247 GeneSiC Semiconductor
	GA10JT12-263 GeneSiC Semiconductor
	GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor

Este artigo foi engadido á túa cesta.