RQ3E150GNTB

Número de peza do fabricante:	RQ3E150GNTB
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Parte da Descrición:	MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Fichas técnicas:	RQ3E150GNTB Fichas técnicas
Estado sen chumbo / estado RoHS:	Sen chumbo / Conforme RoHS
Condición de stock:	En stock
Enviar desde:	Hong Kong
Modo de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

COMENTARIO: ROHM Semiconductor RQ3E150GNTB está dispoñible en chipnets.com. Só vendemos pezas novas e orixinais e ofrecemos 1 ano de garantía. Se queres saber máis sobre os produtos ou aplicar un prezo mellor, póñase en contacto connosco fai clic no chat en liña ou envíanos unha cotización.

Todos os compoñentes electrónicos embalaranse de forma moi segura grazas á protección antiestática ESD.

package

Especificación

Tipo	Descrición
Serie	-
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado da peza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnoloxía	MOSFET (Metal Oxide)
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C	15A (Ta)
Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada)	4.5V, 10V
RDS activado (máximo) @ Id, Vgs	6.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs	15.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds	850 pF @ 15 V
Función FET	-
Disipación de potencia (máx.)	2W (Ta), 17.2W (Tc)
Temperatura de operación	150°C (TJ)
Tipo de montaxe	Surface Mount
Paquete de dispositivos do provedor	8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Estuche	8-PowerVDFN

OPCIÓNS DE COMPRA

Estado do stock: 680

Mínimo: 1

Cantidade	Prezo por unidade	Ext. Prezo
O prezo non está dispoñible, por favor RFQ

Cálculo de carga

US $ 40 por FedEx.

Chega en 3-5 días

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuíto nos primeiros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, o exceso de peso cobrarase por separado

Modelos populares

Este artigo foi engadido á túa cesta.