SIA850DJ-T1-GE3

Número de peza do fabricante:	SIA850DJ-T1-GE3
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte da Descrición:	MOSFET N-CH 190V 950MA PPAK
Fichas técnicas:	SIA850DJ-T1-GE3 Fichas técnicas
Estado sen chumbo / estado RoHS:	Sen chumbo / Conforme RoHS
Condición de stock:	En stock
Enviar desde:	Hong Kong
Modo de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

COMENTARIO: Vishay / Siliconix SIA850DJ-T1-GE3 está dispoñible en chipnets.com. Só vendemos pezas novas e orixinais e ofrecemos 1 ano de garantía. Se queres saber máis sobre os produtos ou aplicar un prezo mellor, póñase en contacto connosco fai clic no chat en liña ou envíanos unha cotización.

Todos os compoñentes electrónicos embalaranse de forma moi segura grazas á protección antiestática ESD.

package

Especificación

Tipo	Descrición
Serie	LITTLE FOOT®
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado da peza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnoloxía	MOSFET (Metal Oxide)
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss)	190 V
Corrente - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C	950mA (Tc)
Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada)	1.8V, 4.5V
RDS activado (máximo) @ Id, Vgs	3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs	4.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds	90 pF @ 100 V
Función FET	Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)	1.9W (Ta), 7W (Tc)
Temperatura de operación	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe	Surface Mount
Paquete de dispositivos do provedor	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paquete / Estuche	PowerPAK® SC-70-6 Dual

OPCIÓNS DE COMPRA

Estado do stock: Envío o mesmo día

Mínimo: 1

Cantidade	Prezo por unidade	Ext. Prezo
O prezo non está dispoñible, por favor RFQ

Cálculo de carga

US $ 40 por FedEx.

Chega en 3-5 días

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuíto nos primeiros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, o exceso de peso cobrarase por separado

Modelos populares

Este artigo foi engadido á túa cesta.