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Conectores, interconexións
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / NTZD5110NT1G
A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real
NTZD5110NT1G
| Número de peza do fabricante: | NTZD5110NT1G |
| Fabricante: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Parte da Descrición: | MOSFET 2N-CH 60V 294MA SOT563 |
| Fichas técnicas: | NTZD5110NT1G Fichas técnicas |
| Estado sen chumbo / estado RoHS: | Sen chumbo / Conforme RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Enviar desde: | Hong Kong |
| Modo de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- COMENTARIO
- Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTZD5110NT1G está dispoñible en chipnets.com. Só vendemos pezas novas e orixinais e ofrecemos 1 ano de garantía. Se queres saber máis sobre os produtos ou aplicar un prezo mellor, póñase en contacto connosco fai clic no chat en liña ou envíanos unha cotización.
Todos os compoñentes electrónicos embalaranse de forma moi segura grazas á protección antiestática ESD.
Especificación
| Tipo | Descrición |
|---|---|
| Serie | - |
| Paquete | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Estado da peza | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Función FET | Logic Level Gate |
| Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 60V |
| Corrente - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 294mA |
| RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 24.5pF @ 20V |
| Potencia: máx | 250mW |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Paquete / Estuche | SOT-563, SOT-666 |
| Paquete de dispositivos do provedor | SOT-563 |
OPCIÓNS DE COMPRA
Estado do stock: 2147483647
Mínimo: 1
| Cantidade | Prezo por unidade | Ext. Prezo |
|---|---|---|
O prezo non está dispoñible, por favor RFQ |
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Cálculo de carga
US $ 40 por FedEx.
Chega en 3-5 días
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuíto nos primeiros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, o exceso de peso cobrarase por separado
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