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Conectores, interconexións
Vishay / Siliconix / SIZF906ADT-T1-GE3
A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real
SIZF906ADT-T1-GE3
| Número de peza do fabricante: | SIZF906ADT-T1-GE3 |
| Fabricante: | Vishay / Siliconix |
| Parte da Descrición: | MOSFET DUAL N-CHAN 30V |
| Fichas técnicas: | SIZF906ADT-T1-GE3 Fichas técnicas |
| Estado sen chumbo / estado RoHS: | Sen chumbo / Conforme RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Enviar desde: | Hong Kong |
| Modo de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- COMENTARIO
- Vishay / Siliconix SIZF906ADT-T1-GE3 está dispoñible en chipnets.com. Só vendemos pezas novas e orixinais e ofrecemos 1 ano de garantía. Se queres saber máis sobre os produtos ou aplicar un prezo mellor, póñase en contacto connosco fai clic no chat en liña ou envíanos unha cotización.
Todos os compoñentes electrónicos embalaranse de forma moi segura grazas á protección antiestática ESD.
Especificación
| Tipo | Descrición |
|---|---|
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Paquete | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Estado da peza | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Función FET | Standard |
| Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) |
| RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 49nC @ 10V, 200nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V |
| Potencia: máx | 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Paquete / Estuche | 8-PowerWDFN |
| Paquete de dispositivos do provedor | 8-PowerPair® (6x5) |
OPCIÓNS DE COMPRA
Estado do stock: 29
Mínimo: 1
| Cantidade | Prezo por unidade | Ext. Prezo |
|---|---|---|
O prezo non está dispoñible, por favor RFQ |
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