FF23MR12W1M1B11BOMA1

Número de peza do fabricante:	FF23MR12W1M1B11BOMA1
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
Parte da Descrición:	MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE
Fichas técnicas:	FF23MR12W1M1B11BOMA1 Fichas técnicas
Estado sen chumbo / estado RoHS:	Sen chumbo / Conforme RoHS
Condición de stock:	En stock
Enviar desde:	Hong Kong
Modo de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

COMENTARIO: IR (Infineon Technologies) FF23MR12W1M1B11BOMA1 está dispoñible en chipnets.com. Só vendemos pezas novas e orixinais e ofrecemos 1 ano de garantía. Se queres saber máis sobre os produtos ou aplicar un prezo mellor, póñase en contacto connosco fai clic no chat en liña ou envíanos unha cotización.

Todos os compoñentes electrónicos embalaranse de forma moi segura grazas á protección antiestática ESD.

package

Especificación

Tipo	Descrición
Serie	CoolSiC™+
Paquete	Tray
Estado da peza	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Función FET	Silicon Carbide (SiC)
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corrente - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C	50A
RDS activado (máximo) @ Id, Vgs	23mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.55V @ 20mA
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs	125nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds	3950pF @ 800V
Potencia: máx	20mW
Temperatura de operación	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe	Chassis Mount
Paquete / Estuche	Module
Paquete de dispositivos do provedor	Module

OPCIÓNS DE COMPRA

Estado do stock: Envío o mesmo día

Mínimo: 1

Cantidade	Prezo por unidade	Ext. Prezo
O prezo non está dispoñible, por favor RFQ

Cálculo de carga

US $ 40 por FedEx.

Chega en 3-5 días

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuíto nos primeiros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, o exceso de peso cobrarase por separado

Modelos populares

	FF23MR12W1M1B11BOMA1 IR (Infineon Technologies)

Este artigo foi engadido á túa cesta.