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Conectores, interconexións
Microsemi / APT80SM120B
A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real
APT80SM120B
| Número de peza do fabricante: | APT80SM120B |
| Fabricante: | Microsemi |
| Parte da Descrición: | SICFET N-CH 1200V 80A TO247 |
| Fichas técnicas: | APT80SM120B Fichas técnicas |
| Estado sen chumbo / estado RoHS: | Sen chumbo / Conforme RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Enviar desde: | Hong Kong |
| Modo de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- COMENTARIO
- Microsemi APT80SM120B está dispoñible en chipnets.com. Só vendemos pezas novas e orixinais e ofrecemos 1 ano de garantía. Se queres saber máis sobre os produtos ou aplicar un prezo mellor, póñase en contacto connosco fai clic no chat en liña ou envíanos unha cotización.
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Especificación
| Tipo | Descrición |
|---|---|
| Serie | - |
| Paquete | Bulk |
| Estado da peza | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnoloxía | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 1200 V |
| Corrente - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
| Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada) | 20V |
| RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 235 nC @ 20 V |
| Vgs (máx.) | +25V, -10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | - |
| Función FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 555W (Tc) |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Through Hole |
| Paquete de dispositivos do provedor | TO-247 |
| Paquete / Estuche | TO-247-3 |
OPCIÓNS DE COMPRA
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| Cantidade | Prezo por unidade | Ext. Prezo |
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O prezo non está dispoñible, por favor RFQ |
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