GA50JT06-258

Número de peza do fabricante:	GA50JT06-258
Fabricante:	GeneSiC Semiconductor
Parte da Descrición:	TRANS SJT 600V 100A TO258
Fichas técnicas:	GA50JT06-258 Fichas técnicas
Estado sen chumbo / estado RoHS:	Sen chumbo / Conforme RoHS
Condición de stock:	En stock
Enviar desde:	Hong Kong
Modo de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

COMENTARIO: GeneSiC Semiconductor GA50JT06-258 está dispoñible en chipnets.com. Só vendemos pezas novas e orixinais e ofrecemos 1 ano de garantía. Se queres saber máis sobre os produtos ou aplicar un prezo mellor, póñase en contacto connosco fai clic no chat en liña ou envíanos unha cotización.

Todos os compoñentes electrónicos embalaranse de forma moi segura grazas á protección antiestática ESD.

package

Especificación

Tipo	Descrición
Serie	-
Paquete	Bulk
Estado da peza	Active
Tipo FET	-
Tecnoloxía	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C	100A (Tc)
Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada)	-
RDS activado (máximo) @ Id, Vgs	25mOhm @ 50A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds	-
Función FET	-
Disipación de potencia (máx.)	769W (Tc)
Temperatura de operación	-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montaxe	Through Hole
Paquete de dispositivos do provedor	TO-258
Paquete / Estuche	TO-258-3, TO-258AA

OPCIÓNS DE COMPRA

Estado do stock: Envío o mesmo día

Mínimo: 1

Cantidade	Prezo por unidade	Ext. Prezo
O prezo non está dispoñible, por favor RFQ

Cálculo de carga

US $ 40 por FedEx.

Chega en 3-5 días

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuíto nos primeiros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, o exceso de peso cobrarase por separado

Modelos populares

Este artigo foi engadido á túa cesta.