BSM300D12P3E005

Número de peza do fabricante:	BSM300D12P3E005
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Parte da Descrición:	SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
Fichas técnicas:	BSM300D12P3E005 Fichas técnicas
Estado sen chumbo / estado RoHS:	Sen chumbo / Conforme RoHS
Condición de stock:	En stock
Enviar desde:	Hong Kong
Modo de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

COMENTARIO: ROHM Semiconductor BSM300D12P3E005 está dispoñible en chipnets.com. Só vendemos pezas novas e orixinais e ofrecemos 1 ano de garantía. Se queres saber máis sobre os produtos ou aplicar un prezo mellor, póñase en contacto connosco fai clic no chat en liña ou envíanos unha cotización.

Todos os compoñentes electrónicos embalaranse de forma moi segura grazas á protección antiestática ESD.

package

Especificación

Tipo	Descrición
Serie	-
Paquete	Bulk
Estado da peza	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET	Silicon Carbide (SiC)
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corrente - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C	300A (Tc)
RDS activado (máximo) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	5.6V @ 91mA
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds	14000pF @ 10V
Potencia: máx	1260W (Tc)
Temperatura de operación	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe	Chassis Mount
Paquete / Estuche	Module
Paquete de dispositivos do provedor	Module

OPCIÓNS DE COMPRA

Estado do stock: 9

Mínimo: 1

Cantidade	Prezo por unidade	Ext. Prezo
O prezo non está dispoñible, por favor RFQ

Cálculo de carga

US $ 40 por FedEx.

Chega en 3-5 días

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuíto nos primeiros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, o exceso de peso cobrarase por separado

Modelos populares

	BSM300D12P2E001 ROHM Semiconductor
	BSM300D12P3E005 ROHM Semiconductor

Este artigo foi engadido á túa cesta.